买卖IC网 >> 产品目录 >> KSE13005ATU 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

KSE13005ATU

库存数量：可订货
制造商：Fairchild Semiconductor
描述：两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> 两极晶体管 - BJT
描述 两极晶体管 - BJT NPN Si Transistor
制造商 Fairchild Semiconductor
配置
晶体管极性 NPN
集电极—基极电压 VCBO 700 V
集电极—发射极最大电压 VCEO 400 V
发射极 - 基极电压 VEBO 9 V
集电极—射极饱和电压 400 V
最大直流电集电极电流 4 A
增益带宽产品fT 4 MHz
直流集电极/Base Gain hfe Min 10
最大工作温度 + 150 C
安装风格 Through Hole
封装 / 箱体 TO-220
相关资料
属性
链接
代理商 KSE13005ATU
KSE13005F
KSE13005F1
KSE13005F1/F2TU
KSE13005F1TU
KSE13005F2TU
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  • KSE13005ATU 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价